Alle MOSFET. IXTR170P10P Datenblatt

 

IXTR170P10P MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: IXTR170P10P

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: P

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 312 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 100 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 20 V

Gate-Source-Schwellspannung Vgs(th): 4 V

Maximaler Drainstrom (Id): 108 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Anstiegszeit (tr): 176 nS

Ausgangswiderstand (Rds): 0.013 Ohm

Transistorgehäuse: ISOPLUS247

Ersatz (vergleichstyp) für IXTR170P10P Transistor

 

IXTR170P10P Datasheet (PDF)

No PDF!

Anderen MOSFET... IXTQ86N25T , IXTQ88N28T , IXTQ88N30P , IXTQ90N15T , IXTQ96N15P , IXTQ96N20P , IXTQ96N25T , IXTR16P60P , 2SK117 , IXTR200N10P , IXTR20P50P , IXTR30N25 , IXTR32P60P , IXTR36P15P , IXTR40P50P , IXTR48P20P , IXTR62N15P .

 


IXTR170P10P
  IXTR170P10P
  IXTR170P10P
  IXTR170P10P
 
IXTR170P10P
  IXTR170P10P
  IXTR170P10P
 

social 

Liste

Letztes Update

MOSFET AP5523GM-HF | AP50T03GJ | AP50T03GH | AP4957AGM-HF | AP4955GM-HF | AP4953GM | AP4880GEM | AP4835GM-HF | AP4816GSM | AP4800AGM | AP7811GM | AP76T03AGMT-HF | AP75T10GS-HF | AP72T03GP | AP72T03GJ-HF |