Alle MOSFET. IXTX5N250 Datenblatt

 

IXTX5N250 MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: IXTX5N250

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 960 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 2500 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 30 V

Gate-Source-Schwellspannung Vgs(th): 5 V

Maximaler Drainstrom (Id): 5 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Anstiegszeit (tr): 1200 nS

Ausgangswiderstand (Rds): 8.8 Ohm

Transistorgehäuse: PLUS247

Ersatz (vergleichstyp) für IXTX5N250 Transistor

 

IXTX5N250 Datasheet (PDF)

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Anderen MOSFET... IXTX200N10L2 , IXTX20N140 , IXTX22N100L , IXTX24N100 , IXTX32P60P , IXTX40P50P , IXTX46N50L , IXTX550N055T2 , IRF530 , IXTX600N04T2 , IXTX60N50L2 , IXTX8N150L , IXTX90N25L2 , IXTX90P20P , IXTY01N100 , IXTY01N100D , IXTY01N80 .

 


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