Alle Transistoren. KT3102VM Datenblatt

 

KT3102VM . Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: KT3102VM

Werkstoff: Si

Polarity: NPN

Gesamt-Verlustleistung (Ptot): 0.25 W

Kollektor-Basis-Sperrspannung (Vcb): 30 V

Emitter-Basis-Sperrspannung (Veb): 5 V

Kollektorstrom (Ic): 0.1 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Transitfrequenz (ft): 150 MHz

Kollektor-Kapazität (Cc): 6 pF

Kurzschluss-Stromverstärkung (hfe): 200

Ersatz (vergleichstyp) für KT3102VM

 

KT3102VM Datasheet (PDF)

4.1. kt3102a-b-v-g-d-e.pdf Size:712K _russia

KT3102VM

4.2. kt3102.pdf Size:198K _integral

KT3102VM
KT3102VM

КТ3102 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в низкочастотных устройс

5.1. kt3106a.pdf Size:721K _russia

KT3102VM

5.2. kt3101a.pdf Size:779K _russia

KT3102VM

5.3. kt3109a-b-v.pdf Size:532K _russia

KT3102VM

5.4. kt3107a-b-v-g-d-e-zh-i-k-l.pdf Size:806K _russia

KT3102VM

5.5. kt3104a-b-v-g-d-e.pdf Size:373K _russia

KT3102VM

5.6. kt3108a-b-v.pdf Size:722K _russia

KT3102VM

5.7. kt3107.pdf Size:142K _integral

KT3102VM
KT3102VM

КТ3107 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор Назначение Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p усилительный транзистор в пластмассовом корпусе. Предназначен для использования

Anderen transistoren... KT3102GM , KT3102I , KT3102IM , KT3102J , KT3102JM , KT3102K , KT3102KM , KT3102V , 431 , KT3106A-9 , KT3107A , KT3107B , KT3107D , KT3107E , KT3107G , KT3107I , KT3107J .

 


KT3102VM
  KT3102VM
  KT3102VM
 
KT3102VM
  KT3102VM
  KT3102VM
 

social 

Liste

Letztes Update

BJT BCP69T1G | BCP68T1G | BCP56T3G | BCP56T1G | BCP56-16T3G | BCP56-16T1G | BCP5616Q | BCP56-10T3G | BCP56-10T1G | BCP53T1G | BCP53-16T3G | BCP53-16T1G | BCP5316Q | BCP53-10T1G | BCP3904 | BCM857DS | BCM857BV | BCM857BS | BCM856DS | BCM856BS |