Alle Transistoren. 2N1116 Datenblatt

 

2N1116 . Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: 2N1116

Werkstoff: Si

Polarity: NPN

Gesamt-Verlustleistung (Ptot): 5 W

Kollektor-Basis-Sperrspannung (Vcb): 60 V

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 60 V

Emitter-Basis-Sperrspannung (Veb): 6 V

Kollektorstrom (Ic): 0.8 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 200 °C

Transitfrequenz (ft): 4 MHz

Kollektor-Kapazität (Cc): 120 pF

Kurzschluss-Stromverstärkung (hfe): 40

Transistorgehäuse: TO5

Ersatz (vergleichstyp) für 2N1116

 

2N1116 Datasheet (PDF)

5.1. fdfm2n111.pdf Size:289K _fairchild_semi

2N1116
2N1116

August 2005 FDFM2N111 Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description Applications FDFM2N111 combines the exceptional performance of Standard Buck Converter Fairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in a Features MicroFET package. This device is designed specifically as a single package

Anderen transistoren... 2N111 , 2N1110 , 2N1111 , 2N1111A , 2N1111B , 2N1114 , 2N1115 , 2N1115A , BD140 , 2N1117 , 2N1118 , 2N1118A , 2N1119 , 2N111A , 2N112 , 2N1120 , 2N1121 .

 


2N1116
  2N1116
  2N1116
  2N1116
 
2N1116
  2N1116
  2N1116
 

social 

Liste

Letztes Update

BJT BCP69T1G | BCP68T1G | BCP56T3G | BCP56T1G | BCP56-16T3G | BCP56-16T1G | BCP5616Q | BCP56-10T3G | BCP56-10T1G | BCP53T1G | BCP53-16T3G | BCP53-16T1G | BCP5316Q | BCP53-10T1G | BCP3904 | BCM857DS | BCM857BV | BCM857BS | BCM856DS | BCM856BS |