Alle Transistoren. KRC884T Datenblatt

 

KRC884T . Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: KRC884T

Werkstoff: Si

Polarity: NPN

Gesamt-Verlustleistung (Ptot): 0.9 W

Kollektor-Basis-Sperrspannung (Vcb): 50 V

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 20 V

Emitter-Basis-Sperrspannung (Veb): 25 V

Kollektorstrom (Ic): 0.3 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Transitfrequenz (ft): 30 MHz

Kollektor-Kapazität (Cc): 4.8 pF

Kurzschluss-Stromverstärkung (hfe): 350

Transistorgehäuse: TS6

Ersatz (vergleichstyp) für KRC884T

 

KRC884T Datasheet (PDF)

5.1. krc881t 886t.pdf Size:386K _kec

KRC884T
KRC884T

SEMICONDUCTOR KRC881T~KRC886T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. AUDIO MUTING APPLICATION. E K B K FEATURES DIM MILLIMETERS _ High emitter-base voltage : VEBO=25V(Min) A 2.9 + 0.2 16 B 1.6+0.2/-0.1 High reverse hFE : reverse hFE=150(Typ.) (VCE=-2V, IC=-4mA) _ C 0.70 0.05 + 2 5 _ + D 0.4 0.1 Low on resistance : Ron=1 (Typ.) (IB=5mA) E 2.8+0.

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