Alle Transistoren. 13003ADA Datenblatt

 

13003ADA . Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: 13003ADA

Werkstoff: Si

Polarity: NPN

Gesamt-Verlustleistung (Ptot): 20 W

Kollektor-Basis-Sperrspannung (Vcb): 450 V

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 400 V

Emitter-Basis-Sperrspannung (Veb): 9 V

Kollektorstrom (Ic): 10 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Transitfrequenz (ft): 4 MHz

Kurzschluss-Stromverstärkung (hfe): 10

Transistorgehäuse: TO-251_TO-126_TO-92

Ersatz (vergleichstyp) für 13003ADA

 

13003ADA Datasheet (PDF)

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13003ADA Preliminary NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON BIPOLAR TRANSISTORS FOR LOW FREQUENCY AMPLIFICATION ? DESCRIPTION The UTC 13003ADA is a silicon NPN power switching transistor; it uses UTC’s advanced technology to provide customers high collector-base breakdown voltage, low reverse leakage current and high reliability, etc. The UTC 13003A

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R H13003ADL 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1. 1. 1.APPLICATION 1. Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp、 Electronic Ballast,etc 2. 2. 2

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R S13003AD-H 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1. 1. 1.APPLICATION 1. Charger and Switch-mode power supplies 2. 2. 2.FEATURES 2. High voltage c

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