Alle Transistoren. CXT591E Datenblatt

 

CXT591E . Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: CXT591E

Werkstoff: Si

Polarity: PNP

Gesamt-Verlustleistung (Ptot): 1.2 W

Kollektor-Basis-Sperrspannung (Vcb): 80 V

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 60 V

Emitter-Basis-Sperrspannung (Veb): 5 V

Kollektorstrom (Ic): 1 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Transitfrequenz (ft): 150 MHz

Kollektor-Kapazität (Cc): 10 pF

Kurzschluss-Stromverstärkung (hfe): 200

Transistorgehäuse: SOT89

Ersatz (vergleichstyp) für CXT591E

CXT591E Datasheet PDF:

1.1. cxt591e.pdf Size:528K _central

CXT591E
CXT591E

CXT591E www.centralsemi.com SURFACE MOUNT SILICON DESCRIPTION: PNP TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT591E is a silicon PNP transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high current, general purpose amplifier applications. MARKING: FULL PART NUMBER SOT-89 CASE MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) SYMBOL UNITS Collect

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