Alle Transistoren. TSD2118CP Datenblatt

 

TSD2118CP . Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: TSD2118CP

Werkstoff: Si

Polarity: NPN

Gesamt-Verlustleistung (Ptot): 10 W

Kollektor-Basis-Sperrspannung (Vcb): 50 V

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 20 V

Emitter-Basis-Sperrspannung (Veb): 6 V

Kollektorstrom (Ic): 5 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Transitfrequenz (ft): 150 MHz

Kollektor-Kapazität (Cc): 35 pF

Kurzschluss-Stromverstärkung (hfe): 120

Transistorgehäuse: TO252

Ersatz (vergleichstyp) für TSD2118CP

TSD2118CP Datasheet (PDF)

1.1. tsd2118cp.pdf Size:211K _update

TSD2118CP
TSD2118CP

 TSD2118 Low Vcesat NPN Transistor TO-252 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Base (DPAK) 2. Collector BVCBO 50V 3. Emitter BVCEO 20V IC 5A VCE(SAT) 1V @ IC / IB = 4A / 100mA Features Ordering Information ● Low VCE(SAT) -0.35 @ IC / IB = 4A / 100mA (Typ.) Part No. Package Packing ● Complementary part with TSB1412 TSD2118CP RO TO-252 2.5Kpcs / 13” Reel Stru

5.1. tsd2150a.pdf Size:108K _update

TSD2118CP
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 TSD2150A Low Vcesat NPN Transistor SOT-89 TO-92 Pin Definition: Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Base 1. Emitter BVCBO 80V 2. Collector 2. Collector 3. Emitter 3. Base BVCEO 50V IC 3A VCE(SAT) 0.5V @ IC / IB = 2A / 200mA Features Ordering Information ● Low VCE(SAT) 0.1 @ IC / IB = 1A / 50mA (Typ.) Part No. Package Packing ● Complementary part with TSB1424A T

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