Alle Transistoren. TSD882S Datenblatt

 

TSD882S . Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: TSD882S

Werkstoff: Si

Polarity: NPN

Gesamt-Verlustleistung (Ptot): 0.625 W

Kollektor-Basis-Sperrspannung (Vcb): 60 V

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 50 V

Emitter-Basis-Sperrspannung (Veb): 5 V

Kollektorstrom (Ic): 3 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Transitfrequenz (ft): 90 MHz

Kollektor-Kapazität (Cc): 45 pF

Kurzschluss-Stromverstärkung (hfe): 100

Transistorgehäuse: TO92_SOT89

Ersatz (vergleichstyp) für TSD882S

TSD882S Datasheet (PDF)

1.1. tsd882s.pdf Size:244K _update

TSD882S
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 TSD882S Low Vcesat NPN Transistor TO-92 SOT-89 Pin Definition: Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Base 1. Emitter BVCBO 60V 2. Collector 2. Collector 3. Emitter 3. Base BVCEO 50V IC 3A VCE(SAT) 0.5V @ IC / IB = 2A / 200mA Features Ordering Information ● Low VCE(SAT) 0.25 @ IC / IB = 2A / 200mA (Typ.) Part No. Package Packing ● Complementary part with TSB

4.1. tsd882ck.pdf Size:616K _update

TSD882S
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 TSD882 Low Vcesat NPN Transistor TO-126 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Emitter BVCBO 60V 2. Collector 3. Base BVCEO 30V IC 3A VCE(SAT) 0.5V @ IC=2A, IB=200mA Features Ordering Information ● Low VCE(SAT) 0.3 @ IC=2A, IB=200mA (Typ.) Part No. Package Packing ● Complementary part with TSB772 TSD882CK B0 TO-126 200pcs / Bulk TSD882CK B0G TO-126 200pcs / Bulk

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