IXGR50N60BD1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXGR50N60BD1
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 300 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 110 nC
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS247

Búsqueda de reemplazo de IXGR50N60BD1 - IGBT

IXGR50N60BD1 Datasheet (PDF)

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ixgr50n60bd1.pdf

VCES = 600 VIXGR 50N60BHiPerFASTTM IGBTIC25 = 75 AIXGR 50N60BD1ISOPLUS247TMVCE(sat) = 2.5 V(Electrically Isolated Back Surface)tfi(typ) = 85 ns(D1)Symbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS 247E153432VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCE Isolated Backside*IC25 TC = 25

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ixgr50n60b2.pdf

IXGR 50N60B2VCES = 600 VHiPerFASTTM IGBTIXGR 50N60B2D1IC25 = 68 AISOPLUS247TMVCE(sat) = 2.2 VB2-Class High Speed IGBTstfi(typ) = 65 ns(Electrically Isolated Back Surface)Preliminary Data SheetIXGR_B2 IXGR_B2D1Symbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS247VCES TJ = 25C to 150C 600 V (IXGR)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VG(ISOLATED TAB)VGES C

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ixgr50n60b2d1.pdf