IXYP50N65C3 Todos los transistores

 

IXYP50N65C3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXYP50N65C3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 600 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 132 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 36 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 135 pF
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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IXYP50N65C3 Datasheet (PDF)

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IXYP50N65C3

Preliminary Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXYA50N65C3GenX3TM IC110 = 50AIXYP50N65C3 VCE(sat) 2.10V IXYH50N65C3tfi(typ) = 26nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-263 (IXYA)GEC (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXYP)VCES TJ = 25C to 175

Otros transistores... IXYH30N65B3D1 , IXYH30N65C3 , IXYH30N65C3H1 , IXYP20N65B3 , IXYP20N65B3D1 , IXYP20N65C3D1 , IXYP20N65C3D1M , IXYP30N65C3 , BT40T60ANF , IXYP8N90C3 , IXYQ30N65B3D1 , IXYQ40N65B3D1 , IXYQ40N65C3D1 , IXYT20N120C3D1HV , IXYT30N450HV , IXYT30N65C3H1HV , IXYX100N120B3 .

 

 
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