IXYP50N65C3 Todos los transistores

 

IXYP50N65C3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXYP50N65C3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Máxima potencia disipada (Pc), W: 600
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 132
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.1
   Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 36
   Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 135
   Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 86
   Paquete / Cubierta: TO220

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IXYP50N65C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  ixys
ixyp50n65c3.pdf

IXYP50N65C3
IXYP50N65C3

Preliminary Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXYA50N65C3GenX3TM IC110 = 50AIXYP50N65C3 VCE(sat) 2.10V IXYH50N65C3tfi(typ) = 26nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-263 (IXYA)GEC (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXYP)VCES TJ = 25C to 175

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
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