IXYF40N450 Todos los transistores

 

IXYF40N450 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXYF40N450

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 290 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 4500 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.9 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 330 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 146 pF

Encapsulados: I4PAK

 Búsqueda de reemplazo de IXYF40N450 IGBT

- Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXYF40N450 datasheet

 ..1. Size:185K  ixys
 ixyf40n450.pdf pdf_icon

IXYF40N450

Advance Technical Information High Voltage XPTTM IGBT VCES = 4500V IXYF40N450 IC110 = 32A VCE(sat) 3.9V (Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i4-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 4500 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 4500 V VGES Continuous 20 V 1 2 VGEM Transient 30 V Isolated Tab 5 IC25 TC = 25 C 60 A 1

Otros transistores... IXXR110N65B4H1 , IXYA15N65C3D1 , IXYA20N120C3HV , IXYA20N65B3 , IXYA20N65C3 , IXYA20N65C3D1 , IXYA50N65C3 , IXYF30N450 , MBQ40T65FDSC , IXA20PT1200LB , IXA20RG1200DHGLB , IXA220I650NA , IXA30RG1200DHGLB , IXA40I4000KN , IXA40RG1200DHGLB , IXA70R1200NA , ISL9V3040P3 .

History: IXA20PT1200LB

 

 

 


 
↑ Back to Top
.