SKM100GB176D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKM100GB176D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 125 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 280 pF
Encapsulados: MODULE
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SKM100GB176D datasheet
skm100gb12v.pdf
SKM100GB12V Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 159 A Tj = 175 C Tc =80 C 121 A ICnom 100 A ICRM ICRM = 3xICnom 300 A VGES -20 ... 20 V VCC = 720 V SEMITRANS 2 tpsc VGE 20 V Tj =125 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Inverse diode IF Tc =25 C 121 A Tj = 175 C SKM100GB12V Tc =80 C 91 A IFnom 1
Otros transistores... ART30U120 , ART40U120 , ART45U120SPEC , AUIRGDC0250 , SKM100GAL12T4 , SKM100GB12T4 , SKM100GB12T4G , SKM100GB12V , CRG75T60AK3HD , SKM145GAL176D , SKM145GB066D , SKM145GB176D , SKM150GAL12T4 , SKM150GAL12V , SKM150GAR12T4 , SKM150GB12T4 , SKM150GB12T4G .
History: SKM100GB12V
History: SKM100GB12V
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