TT040K120EQ Todos los transistores

 

TT040K120EQ - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TT040K120EQ
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 595 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 99 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 200 pF
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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TT040K120EQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1344K  jilin sino
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TT040K120EQ

N N-CHANNEL IGBT R TT040K120EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 40 A VCES 1200V Vcesat-typ 1.8V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology,

 8.1. Size:1548K  jilin sino
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TT040K120EQ

N N-CHANNEL IGBT R ATT040K065EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 40 A VCE 650V Vcesat-typ 1.7V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS Motor Control FEATURES Low gate charge Trench FS

 9.1. Size:772K  jilin sino
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TT040K120EQ

N N-CHANNEL IGBT R TT040U120EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 40 A VCES 1200V Vcesat-typ 2.0V Vge=15VAPPLICATIONS Welding UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS

 9.2. Size:1374K  jilin sino
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TT040K120EQ

N N-CHANNEL IGBT RTT040U065FB MAIN CHARACTERISTICS Package IC 40A VCES 650V Vcesat-typ 1.7V APPLICATIONS Power factor corrector PFC Energy Storage FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology, RoHS

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History: 2MBI150NB-120 | FGB3040G2-F085C | APTGT200DA120D3 | FGD3050G2 | SKM200GB123D | DM2G50SH12A | DM2G50SH6N

 

 
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