TT060U065FB Todos los transistores

 

TT060U065FB - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TT060U065FB
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 535 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 80 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 213 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 128 nC
   Paquete / Cubierta: TO-247
     - Selección de transistores por parámetros

 

TT060U065FB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1176K  jilin sino
tt060u065fb.pdf pdf_icon

TT060U065FB

N N-CHANNEL IGBT RTT060U065FB MAIN CHARACTERISTICS Package IC 60A VCES 650V Vcesat-typ 1.7V APPLICATIONS Power factor corrector (PFC) PFC Energy Storage FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology, RoHS

 4.1. Size:1078K  jilin sino
tt060u065fq.pdf pdf_icon

TT060U065FB

N N-CHANNEL IGBT RTT060U065FQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 60A VCES 650V Vcesat-typ 1.7V APPLICATIONS Power factor corrector (PFC) PFC Energy Storage FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology, RoHS

 6.1. Size:1344K  jilin sino
tt060u060eq.pdf pdf_icon

TT060U065FB

N N-CHANNEL IGBT R TT060U060EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 60 A VCES 600V Vcesat-typ 1.9V Vge=15VAPPLICATIONS Welding converters Power Factor Correction PFC Air Condition FEATURES Low gate charge Trench FS

 6.2. Size:1819K  jilin sino
att060u060eq.pdf pdf_icon

TT060U065FB

N N-CHANNEL IGBT R ATT060U060EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 60 A VCE 650V Vcesat-typ 1.9V Vge=15VAPPLICATIONS Welding converters Power Factor Correction PFC OBC FEATURES Low gate charge Trench FS Tech

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