TT075N065EQ Todos los transistores

 

TT075N065EQ - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TT075N065EQ
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 625 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 144 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 377 pF
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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TT075N065EQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1317K  jilin sino
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TT075N065EQ

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 0.1. Size:1675K  jilin sino
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TT075N065EQ

N N-CHANNEL IGBT RATT075N065EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 75A VCE 650V Vcesat-typ 1.7V APPLICATIONS Industrial Inverter On Board Chargers DC-DC Converters DC-DC Motordrives FEATURES Low gate

 8.1. Size:1491K  jilin sino
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TT075N065EQ

N N-CHANNEL IGBT RTT075N120EBC MAIN CHARACTERISTICS Package TO-247plus IC 75A VCES 1200V Vcesat-typ 1.8V APPLICATIONS Build in SIC SBD General purpose Inverters TO-247plus UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS Technolo

 9.1. Size:1340K  jilin sino
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TT075N065EQ

N N-CHANNEL IGBT RTT075U065FBC MAIN CHARACTERISTICS Package IC 75A VCES 650V Vcesat-typ 1.6V APPLICATIONS Built in SiC SBD Charging pile UPS UPS Solar converters Energy Storage FEATURES Low gate c

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History: 2MBI600U4G-120 | SII100N06 | AOK20B65M1 | 50MT060ULSTAPBF | SKM75GB12V | APT150GN60J | BSM75GB60DLC

 

 
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