STB80NF10 Todos los transistores

 

STB80NF10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB80NF10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STB80NF10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:579K  st
 stb80nf10 stp80nf10.pdf pdf_icon

STB80NF10

STB80NF10STP80NF10N-channel 100 V, 0.012 , 80 A, TO-220, D2PAKlow gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTP80NF10 100 V

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STB80NF10

STB80NF10STP80NF10N-channel 100 V, 0.012 , 80 A, TO-220, D2PAKlow gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTP80NF10 100 V

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STB80NF10

STB80NF12 STW80NF12STP80NF12 STP80NF12FPN-CHANNEL 120V-0.013-80A TO-220/TO-247/TO-220FP/DPAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDTO-220 TO-220FPSTB80NF12 120 V

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 stb80nf55-06 stb80nf55-06-1 stp80nf55-06 stp80nf55-06fp.pdf pdf_icon

STB80NF10

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1STP80NF55-06 - STP80NF55-06FPN-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB80NF55-06 55V

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History: NTB6410AN | SDF1NA60

 

 
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