TPC8301 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TPC8301
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TPC8301

TPC8301 Datasheet (PDF)

..1. Size:315K toshiba
tpc8301.pdf

TPC8301 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L2--MOSVI) TPC8301 Lithium Ion Battery Applications Portable Equipment Applications Unit: mmNotebook PCs Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance : R = 95 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 4 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = -

8.1. Size:336K toshiba
tpc8303.pdf

TPC8303 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII) TPC8303 Lithium Ion Battery Applications Unit: mmPortable Equipment Applications Notebook PCs Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 27 m (typ.) High forward transfer admittance : |Y | = 7 S (typ.) fs Low leakage current : I = -10 A (max) (V = -30 V) DSS DS Enhancement-mode : Vt

8.2. Size:322K toshiba
tpc8302.pdf

TPC8302 2TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L --MOSVI) TPC8302 Lithium Ion Battery Applications Portable Equipment Applications Unit: mmNotebook PCs 2.5 V Gate drive Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance: R = 100 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance: |Yfs| = 5 S (typ.) Low leakag

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Liste

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