RMW280N03 Todos los transistores

 

RMW280N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RMW280N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 81 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 940 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
   Paquete / Cubierta: PSOP8
 

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RMW280N03 Datasheet (PDF)

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RMW280N03

Data Sheet4.5V Drive Nch MOSFETRMW280N03 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET PSOP8(8) (7) (6) (5)Features0~0.11) High Power package(PSOP8).1pin mark2) High-speed switching,Low On-resistance. (1) (2) (3) (4)0.220.40.93) Low voltage drive(4.5V drive).1.275.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit

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