RQ1C075UN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RQ1C075UN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 1.5 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V
Corriente continua de drenaje (Id): 7.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 50 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 310 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.011 Ohm
Empaquetado / Estuche: TSMT8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RQ1C075UN
RQ1C075UN Datasheet (PDF)
1.1. rq1c075un.pdf 
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1.5V Drive Nch MOSFET RQ1C075UN ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) TSMT8 Silicon N-channel MOSFET (8) (7) (6) (5) ?Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(1.5V drive). Abbreviated symbol : XH ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit (8) (7) (6) (5) Package Taping Type Code TR Basic ordering un
5.1. rq1c065un.pdf Size:328K _rohm
1.5V Drive Nch MOSFET RQ1C065UN ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT8 (8) (7) (6) (5) ?Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(1.5V drive). Abbreviated symbol : VB ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5) Type Code TR Basic ordering unit
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