RQ1C075UN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RQ1C075UN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
Paquete / Cubierta: TSMT8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RQ1C075UN
Principales características: RQ1C075UN
rq1c075un.pdf
1.5V Drive Nch MOSFET RQ1C075UN Structure Dimensions (Unit mm) TSMT8 Silicon N-channel MOSFET (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(1.5V drive). Abbreviated symbol XH Application Switching Packaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) Package Taping Type Code TR Ba
rq1c065un.pdf
1.5V Drive Nch MOSFET RQ1C065UN Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(1.5V drive). Abbreviated symbol VB Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5) Type Code TR Basi
Otros transistores... RP1E125XN , RP1H065SP , RP1L055SN , RP1L080SN , RQ1A060ZP , RQ1A070AP , RQ1A070ZP , RQ1C065UN , AO4468 , RQ1E050RP , RQ1E070RP , RQ1E075XN , RQ1E100XN , RRF015P03 , RRH040P03 , RRH050P03 , RRH075P03 .
Liste
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