RQ1C075UN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RQ1C075UN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V

Corriente continua de drenaje (Id): 7.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 50 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 310 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.011 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSMT8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RQ1C075UN

RQ1C075UN Datasheet (PDF)

1.1. rq1c075un.pdf Size:343K _rohm

1.5V Drive Nch MOSFET RQ1C075UN ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) TSMT8 Silicon N-channel MOSFET (8) (7) (6) (5) ?Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(1.5V drive). Abbreviated symbol : XH ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit (8) (7) (6) (5) Package Taping Type Code TR Basic ordering un

5.1. rq1c065un.pdf Size:328K _rohm

1.5V Drive Nch MOSFET RQ1C065UN ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT8 (8) (7) (6) (5) ?Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(1.5V drive). Abbreviated symbol : VB ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5) Type Code TR Basic ordering unit

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Liste

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