RRH040P03 Todos los transistores

 

RRH040P03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RRH040P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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Principales características: RRH040P03

 ..1. Size:220K  rohm
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RRH040P03

4V Drive Pch MOSFET RRH040P03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET SOP8 Features 1) Low Gate Charge. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Application Switching Each lead has same dimensions Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5) Type Code TB Basic ordering unit (p

 ..2. Size:2892K  kexin
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RRH040P03

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET RRH040P03 (KRH040P03) SOP-8 Unit mm Features VDS (V) =-30V ID =-4 A (VGS =-10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 75m (VGS =-10V) RDS(ON) 115m (VGS =-4.5V) 1 Source 5 Drain RDS(ON) 125m (VGS =-4V) 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate S D S D S D G D Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Par

Otros transistores... RQ1A070ZP , RQ1C065UN , RQ1C075UN , RQ1E050RP , RQ1E070RP , RQ1E075XN , RQ1E100XN , RRF015P03 , 20N60 , RRH050P03 , RRH075P03 , RRH090P03 , RRH100P03 , RRH140P03 , RRL025P03 , RRL035P03 , RRQ030P03 .

 

 
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