RRH040P03 Todos los transistores

 

RRH040P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RRH040P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

RRH040P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:220K  rohm
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RRH040P03

4V Drive Pch MOSFET RRH040P03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET SOP8Features 1) Low Gate Charge. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Application Switching Each lead has same dimensionsPackaging specifications Inner circuit Package Taping(8) (7) (6) (5)Type Code TBBasic ordering unit (p

 ..2. Size:2892K  kexin
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RRH040P03

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETRRH040P03 (KRH040P03)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) =-30V ID =-4 A (VGS =-10V)1.50 0.15 RDS(ON) 75m (VGS =-10V) RDS(ON) 115m (VGS =-4.5V)1 Source 5 Drain RDS(ON) 125m (VGS =-4V)6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateSDSDSD GD Absolute Maximum Ratings Ta = 25Par

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