RSD140P06 Todos los transistores

 

RSD140P06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSD140P06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 20 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 14 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 27 nC

Tiempo de elevación (tr): 45 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 200 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.06 Ohm

Empaquetado / Estuche: CPT3_SC63_SOT428

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RSD140P06 Datasheet (PDF)

1.1. rsd140p06fra.pdf Size:1413K _update_mosfet

RSD140P06
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Data Sheet AEC-Q101 Qualified 4V Drive Pch MOSFET RSD140P06 RSD140P06FRA Structure  Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET CPT3 (SC-63) Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy.  Application Switching  Pack

1.2. rsd140p06.pdf Size:1213K _rohm

RSD140P06
RSD140P06

Data Sheet 4V Drive Pch MOSFET RSD140P06 ?Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET CPT3 (SC-63) ?Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit Package T

 

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