RSM002P03 Todos los transistores

 

RSM002P03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RSM002P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: VMT3
 

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Principales características: RSM002P03

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RSM002P03

RSM002P03 Transistors 4V Drive Pch MOSFET RSM002P03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET VMT3 1.2 0.32 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) Small package (VMT3). (1)(2) 0.22 0.13 0.4 0.4 3) 4V drive. 0.5 0.8 (1)Gate (2)Source (3)Drain Abbreviated symbol WP Applications Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping

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RSM002P03

RSM002P03 Transistors 4V Drive Pch MOSFET RSM002P03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET VMT3 1.2 0.32 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) Small package (VMT3). (1)(2) 0.22 0.13 0.4 0.4 3) 4V drive. 0.5 0.8 (1)Gate (2)Source (3)Drain Abbreviated symbol WP Applications Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping

 8.1. Size:171K  rohm
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RSM002P03

Otros transistores... RSJ10HN06 , RSJ250P10 , RSJ300N10 , RSJ400N06 , RSJ450N04 , RSJ550N10 , RSJ650N10 , RSM002N06 , 12N60 , RSQ015N06 , RSQ015P10 , RSQ020N03 , RSQ045N03 , RSR010N10 , RSR020N06 , RSR025N03 , RSR025N05 .

 

 
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