SSD40N04-20D Todos los transistores

 

SSD40N04-20D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSD40N04-20D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 39 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 272 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.022 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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SSD40N04-20D Datasheet (PDF)

1.1. ssd40n04-20d.pdf Size:381K _secos

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SSD40N04-20D N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 39A, 40V, RDS(ON) 22m? Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen free TO-252(D-Pack) DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density process. Low RDS(on) assures minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management c

3.1. ssd40n03.pdf Size:1290K _secos

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SSD40N03 36A, 30V,RDS(ON)21m ? Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product Description TO-252 The SSD40N03 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-252 is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications and

 4.1. ssd40n10-30d.pdf Size:2414K _secos

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SSD40N10-30D 26A, 100V, RDS(ON) 36m? N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen free FEATURES TO-252(D-Pack) Low RDS(on) trench technology. Low thermal impedance. Fast switching speed. APPLICATION PoE Power Sourcing Equipment. A C B PoE Powered Devices. D Telecom DC/DC converters.

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