2SK1971 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK1971
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 2 V
trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3PL
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK1971
Principales características: 2SK1971
2sk1971.pdf
2SK1971 Silicon N Channel MOS FET REJ03G0990-0200 (Previous ADE-208-1338) Rev.2.00 Sep 07, 2005 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator, DC-DC converter, motor control Outline RENESAS Package code PRSS0004ZF-A (Package name
2sk1971.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1971 DESCRIPTION Drain Current I =35A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 500V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Suitable for switching regulator ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage (V
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Liste
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