FCD620N60ZF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FCD620N60ZF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 89 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 7.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.62 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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FCD620N60ZF Datasheet (PDF)

1.1. fcd620n60zf.pdf Size:619K _fairchild_semi

November 2013 FCD620N60ZF N-Channel SuperFET® II FRFET® MOSFET 600 V, 7.3 A, 620 mΩ Features Description • 650 V @ TJ = 150oC SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing • Typ. RDS(on) = 528 mΩ charge balance technology for outstanding low on-resistance • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 20 nC)

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Liste

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