FCD620N60ZF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FCD620N60ZF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 89 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 7.3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.62 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FCD620N60ZF
FCD620N60ZF Datasheet (PDF)
1.1. fcd620n60zf.pdf 
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November 2013 FCD620N60ZF N-Channel SuperFET® II FRFET® MOSFET 600 V, 7.3 A, 620 mΩ Features Description • 650 V @ TJ = 150oC SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing • Typ. RDS(on) = 528 mΩ charge balance technology for outstanding low on-resistance • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 20 nC)
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