FCD620N60ZF Todos los transistores

 

FCD620N60ZF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FCD620N60ZF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 625 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.62 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET FCD620N60ZF

 

Principales características: FCD620N60ZF

 ..1. Size:619K  fairchild semi
 fcd620n60zf.pdf pdf_icon

FCD620N60ZF

November 2013 FCD620N60ZF N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600 V, 7.3 A, 620 m Features Description 650 V @ TJ = 150oC SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 528 m charge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 20 nC)

Otros transistores... FCH104N60F , FDMS86350 , FDU6N25 , HUF76419SF085 , FDMS86252L , FDMS86550 , FDMA908PZ , FDS6679 , 5N60 , FDMS3660AS , FDMS86202 , FQPF2N80YDTU , FCP190N60GF102 , FDB42AN15F085 , FDPF7N50U , FQP2N40 , FCP104N60F .

 

 
Back to Top

 


 
.