FCD620N60ZF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FCD620N60ZF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 625 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.62 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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FCD620N60ZF Datasheet (PDF)

..1. Size:619K fairchild semi
fcd620n60zf.pdf

November 2013FCD620N60ZFN-Channel SuperFET II FRFET MOSFET600 V, 7.3 A, 620 mFeatures Description 650 V @ TJ = 150oC SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-newhigh voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 528 mcharge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 20 nC)

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History: DMP21D2UFA

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: