BRD1N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRD1N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 30 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 20 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 12 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BRD1N60
BRD1N60 Datasheet (PDF)
1.1. brd1n60.pdf 
Size:1109K _blue-rocket-elect
BRD1N60(BRCS1N60D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-252 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. 特征 / Features 低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。 Low gate charge, low crss, fast switching. 用途 / Applications 用于高功率 DC/DC 转换和功率开关。 These devices are well suited for high
Otros transistores... CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 , CEM3083 , CEM3301 , CEM3307 , CEM3317 , CEM3405L , BUZ10 , CEM4201 , CEM4207 , CEM4301 , CEM4311 , CEM4435A , CEM4948 , CEM4953 , CEM4953A .
