BRD1N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRD1N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de BRD1N60 MOSFET
BRD1N60 Datasheet (PDF)
brd1n60.pdf

BRD1N60(BRCS1N60D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MDT08N06D | MDP9N20 | MDP5N65 | MDP2N60 | MDP18N20 | MD9N90 | MD40N25 | MD33N25 | MD23N50 | MD20N65 | MD20N60 | K3878 | IRLR024NTR | AO3401S | AO3400S | P80NF70
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