SSF18NS60F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSF18NS60F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 610 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 24.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 783 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

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SSF18NS60F Datasheet (PDF)

..1. Size:512K silikron
ssf18ns60f.pdf

SSF18NS60F Main Product Characteristics: VDSS 610V RDS(on) 0.27ohm(typ.) ID 15A Marking and pin TO220F Schematic diagram Assignment Features and Benefits: High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description: The SSF18NS60F series MOSFETs is a new technology, whic

5.1. Size:607K silikron
ssf18ns60.pdf

SSF18NS60 Main Product Characteristics: VDSS 610V RDS(on) 0.27(typ.) ID 15A Marking a nd p in Sche ma ti c di agr a m TO220 Assignment Features and Benefits: High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description: The SSF18NS60 series MOSFETs is a new technology

8.1. Size:379K silikron
ssf18n50f.pdf

SSF18N50FMain Product Characteristics: VDSS 500V RDS(on) 0.22ohm(typ.)ID 18AMarking and pin TO220FSchematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 150 operating

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Liste

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