P3504BD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P3504BD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 124 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: TO252

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P3504BD datasheet

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P3504BD

P3504BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 40m @VGS = 10V 40V 20A TO-252 100% Rg tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 100% UIS tested C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 20 ID Continuous Drain Current TC = 70 C 16 A

Otros transistores... P261AFEA, P261ALV, P1810ATX, P1820AD, P1820BD, P1825AD, P1825AT, P2003BDG, AON7410, P3506DD, P3506DT, P3506DTF, P3606BD, P3606HK, P4404EDG, P4404EI, P4404ETG