P3504BD Todos los transistores

 

P3504BD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P3504BD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 124 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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P3504BD Datasheet (PDF)

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P3504BD

P3504BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID40m @VGS = 10V40V 20ATO-252100% Rg testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 100% UIS testedC Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 40 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C20IDContinuous Drain CurrentTC = 70 C16A

Otros transistores... P261AFEA , P261ALV , P1810ATX , P1820AD , P1820BD , P1825AD , P1825AT , P2003BDG , RFP50N06 , P3506DD , P3506DT , P3506DTF , P3606BD , P3606HK , P4404EDG , P4404EI , P4404ETG .

History: OSG60R070HT3F | CHM5P03PAGP

 

 
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