AON6262E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AON6262E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0062 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6
Búsqueda de reemplazo de AON6262E MOSFET
AON6262E PDF Specs
aon6262e.pdf
AON6262E TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 40A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V) ... See More ⇒
aon6262e.pdf
AON6262E TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 40A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V) ... See More ⇒
aon6266.pdf
AON6266 60V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS MV) technology 60V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V) ... See More ⇒
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Liste
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