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ZVN2110ASTZ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ZVN2110ASTZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92

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Principales características: ZVN2110ASTZ

 ..1. Size:61K  diodes
 zvn2110astoa zvn2110astob zvn2110astz.pdf pdf_icon

ZVN2110ASTZ

 6.1. Size:66K  diodes
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ZVN2110ASTZ

 7.1. Size:48K  diodes
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ZVN2110ASTZ

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVN2110G MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 3 OCTOBER 1995 FEATURES D * 6A PULSE DRAIN CURRENT * FAST SWITCHING SPEED = V V V S V V D PARTMARKING DETAIL - ZVN2110 G COMPLEMENTARY TYPE - ZVP2110G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT V Drain-Source Voltage VDS 100 V 10 Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 500 mA Pulsed Drain

 7.2. Size:37K  diodes
 zvn2110gta zvn2110gtc.pdf pdf_icon

ZVN2110ASTZ

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVN2110G MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 3 OCTOBER 1995 FEATURES D * 6A PULSE DRAIN CURRENT * FAST SWITCHING SPEED = V V V S V V D PARTMARKING DETAIL - ZVN2110 G COMPLEMENTARY TYPE - ZVP2110G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT V Drain-Source Voltage VDS 100 V 10 Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 500 mA Pulsed Drain

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History: PSMN7R6-60BS | ZVN2120GTC | ZVN3306FTA | ZVN3320FTC | SUP70060E | ZVN4106FTA | UT50N03

 

 
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