ZVN2120GTC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ZVN2120GTC
Código: ZVN2120
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.32 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-223
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ZVN2120GTC
ZVN2120GTC Datasheet (PDF)
zvn2120gta zvn2120gtc.pdf
SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN2120GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 - FEBRUARY 1996 FEATURES:D* VDS - 200V* RDS(ON) - 10SPARTMARKING DETAIL - ZVN2120DGABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 200 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 320 mAPulsed Drain Current IDM 2AGate-Source Voltage VGS 20 VPower Dissipation at
zvn2120g.pdf
SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN2120GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 - FEBRUARY 1996 FEATURES:D* VDS - 200V* RDS(ON) - 10SPARTMARKING DETAIL - ZVN2120DGABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 200 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 320 mAPulsed Drain Current IDM 2AGate-Source Voltage VGS 20 VPower Dissipation at
zvn2120a r3.pdf
Obsolete. Alternative is ZVN0124A. N-CHANNEL ENHANCEMENT0A ZVN2120AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 200 Volt VDS* RDS(on)= 10 VGS=0V8V7VD6V G5V S4VE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.3VPARAMETER SYMBOL VALUE UNIT2VDrain-Source Voltage VDS 200 V8 10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID 180 mAPulsed Drain Cu
zvn2120c.pdf
N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN2120CMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94 T V I VD D DE-Line T V TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V ITD i V I VD V i D i T ID 8 I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V VV I T I V V ID VD V V I
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: IRFU2405PBF
History: IRFU2405PBF
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918