ZVN3310ASTOB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ZVN3310ASTOB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.625 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ZVN3310ASTOB
Principales características: ZVN3310ASTOB
zvn3310fta zvn3310ftc.pdf
A Product Line of Diodes Incorporated ZVN3310F 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Product Summary Features and Benefits High pulse current handling in linear mode VDS (V) 100 Low input capacitance RDS(ON) ( ) 10 Fast switching speed Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) Description and
zvn3310f.pdf
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History: SIHFZ34 | PTP10HN10 | SIHG47N60AEF | PTN3006 | IRF7331 | SVF12N60CF
History: SIHFZ34 | PTP10HN10 | SIHG47N60AEF | PTN3006 | IRF7331 | SVF12N60CF
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
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