SI1406DH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI1406DH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-363
Búsqueda de reemplazo de SI1406DH MOSFET
SI1406DH Datasheet (PDF)
si1406dh.pdf

Si1406DHVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.065 at VGS = 4.5 V 3.9 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V Rated0.075 at VGS = 2.5 V 20 3.6 Thermally Enhanced SC-70 Package0.096 at VGS = 1.8 V 3.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICAT
si1401edh.pdf

New ProductSi1401EDHVishay SiliconixP-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.034 at VGS = - 4.5 V - 4 TrenchFET Power MOSFET0.046 at VGS = - 2.5 V - 4 Typical ESD Performance 1500 V- 12 14.1 nC 100 % Rg Tested0.070 at VGS = - 1.8 V - 4 Compl
si1407dl.pdf

Si1407DLVishay SiliconixP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V) rDS(on) ()ID (A)Pb-free 1.8 V RatedAvailable0.130 at VGS = - 4.5 V - 1.8RoHS*- 12 0.170 at VGS = - 2.5 V - 1.5COMPLIANT0.225 at VGS = - 1.8 V - 1.3SOT-363SC-70 (6-LEADS)D 1 6 DMarking CodeOC XX5D 2 DLot Traceabilityand Date Code
si1403dl.pdf

Si1403DLNew ProductVishay SiliconixP-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)Pb-freeAvailable0.180 at VGS = - 4.5 V 1.5RoHS*- 25 0.200 at VGS = - 3.6 V 1.4COMPLIANT0.265 at VGS = - 2.5 V 1.2SOT-363SC-70 (6-LEADS)D 1 6 DMarking CodeOA XX5D 2 DLot Traceabilityand Date CodeG
Otros transistores... SI1400DL , SI1401EDH , SI1402DH , SI1403BDL , SI1403CDL , SI1404BDH , SI1405BDH , SI1405DL , IRF540N , SI1410EDH , SI1411DH , SI1413DH , SI1413EDH , SI1414DH , SI1416EDH , SI1417EDH , SI1419DH .
History: SQJA60EP | IAUA120N04S5N014 | HCS90R450S | IRF2804S-7PPBF | MM20N050P | VS3628GP | 6N10
History: SQJA60EP | IAUA120N04S5N014 | HCS90R450S | IRF2804S-7PPBF | MM20N050P | VS3628GP | 6N10



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810