SI1427EDH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI1427EDH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1000 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.064 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-363
Búsqueda de reemplazo de SI1427EDH MOSFET
SI1427EDH PDF Specs
si1422dh.pdf
New Product Si1422DH Vishay Siliconix N-Channel 12 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.026 at VGS = 4.5 V 4 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested 12 0.030 at VGS = 2.5 V 4 7.5 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.036 at VGS = 1.8 V 4 APPLICATIONS Loa... See More ⇒
si1428edh.pdf
New Product Si1428EDH Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.045 at VGS = 10 V 4 TrenchFET Power MOSFET 30 0.049 at VGS = 4.5 V 4 4 nC Typical ESD Protection 2000 V HBM 0.060 at VGS = 2.5 V 4 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Dire... See More ⇒
si1424edh.pdf
New Product Si1424EDH Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.033 at VGS = 4.5 V 4 TrenchFET Power MOSFET 0.038 at VGS = 2.5 V 4 Typical ESD Protection 4000 V 20 6 nC 0.045 at VGS = 1.8 V 4 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Direct... See More ⇒
Otros transistores... SI1413EDH , SI1414DH , SI1416EDH , SI1417EDH , SI1419DH , SI1422DH , SI1424EDH , SI1426DH , IRF3710 , SI1428EDH , SI1431DH , SI1433DH , SI1441EDH , SI1442DH , SI1443EDH , SI1450DH , SI1467DH .
History: CEB15A03 | SM8A04NSF
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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