TK8Q60W Todos los transistores

 

TK8Q60W MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK8Q60W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK8Q60W

 

Principales características: TK8Q60W

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TK8Q60W

TK8Q60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK8Q60W TK8Q60W TK8Q60W TK8Q60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.42 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhance

 9.1. Size:265K  toshiba
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TK8Q60W

TK8Q65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK8Q65W TK8Q65W TK8Q65W TK8Q65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.55 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhance

 9.2. Size:234K  inchange semiconductor
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TK8Q60W

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History: SL65N10Q

 

 
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