TK8Q60W Todos los transistores

 

TK8Q60W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK8Q60W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

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TK8Q60W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  toshiba
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TK8Q60W

TK8Q60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK8Q60WTK8Q60WTK8Q60WTK8Q60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.42 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhance

 9.1. Size:265K  toshiba
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TK8Q60W

TK8Q65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK8Q65WTK8Q65WTK8Q65WTK8Q65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.55 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhance

 9.2. Size:234K  inchange semiconductor
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TK8Q60W

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK8Q65WITK8Q65WFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.67.Enhancement mode:Vth =2.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=0.3mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

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History: HRP35N04K | IRFB4332PBF

 

 
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