IRFZ34S Todos los transistores

 

IRFZ34S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFZ34S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 88 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 30 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 46 nC

Tiempo de elevación (tr): 100 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 600 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.05 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFZ34S

 

IRFZ34S Datasheet (PDF)

1.1. irfz34l irfz34s.pdf Size:375K _update

IRFZ34S
IRFZ34S

IRFZ34S, IRFZ34L, SiHFZ34S, SiHFZ34L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) 60 • Advanced Process Technology RDS(on) ()VGS = 10 V 0.050 • Surface Mount Qg (Max.) (nC) 46 • Low-Profile Through-Hole (IRFZ34L, SiHFZ34L) • 175 °C Operating Temperature Qgs (nC) 11 • Fast Switching Qgd (nC) 22

1.2. irfz34s-l.pdf Size:193K _international_rectifier

IRFZ34S
IRFZ34S

PD - 9.892A IRFZ34S/L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D VDSS = 60V Surface Mount (IRFZ34S) Low-profile through-hole (IRFZ34L) 175C Operating Temperature RDS(on) = 0.050? Fast Switching G ID = 30A S Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. T

 1.3. irfz34s.pdf Size:302K _international_rectifier

IRFZ34S
IRFZ34S

PD - 9.892A IRFZ34S/L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D VDSS = 60V Surface Mount (IRFZ34S) Low-profile through-hole (IRFZ34L) 175C Operating Temperature RDS(on) = 0.050? Fast Switching G ID = 30A S Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. T

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