RQ5H020SP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RQ5H020SP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.54 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
Paquete / Cubierta: TSMT3
Búsqueda de reemplazo de RQ5H020SP MOSFET
RQ5H020SP Datasheet (PDF)
rq5h020sp.pdf

RQ5H020SP Pch -45V -2.0A Power MOSFET Data SheetlOutlineVDSS-45VTSMT3 (3) RDS(on) (Max.)190mW(1) ID-2.0APD1.0W(2) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.(1) Gate (2) Source 3) Small Surface Mount Package (TSMT3).(3) Drain 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant*1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE lPackagi
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History: BLP055N09G-P | SL17N06DN1 | STW43NM60ND
History: BLP055N09G-P | SL17N06DN1 | STW43NM60ND



Liste
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