RQ5H020SP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RQ5H020SP

Código: FB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.54 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 45 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V

Carga de compuerta (Qg): 4.5 nC

Tiempo de elevación (tr): 10 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 80 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.19 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSMT3

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RQ5H020SP Datasheet (PDF)

1.1. rq5h020sp.pdf Size:769K _update_mosfet

RQ5H020SP Pch -45V -2.0A Power MOSFET Data Sheet lOutline VDSS -45V TSMT3 (3) RDS(on) (Max.) 190mW (1) ID -2.0A PD 1.0W (2) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. (1) Gate (2) Source 3) Small Surface Mount Package (TSMT3). (3) Drain 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE lPackagi

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