RQ5H020SP Todos los transistores

 

RQ5H020SP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RQ5H020SP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT3
 

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RQ5H020SP PDF Specs

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RQ5H020SP

RQ5H020SP Pch -45V -2.0A Power MOSFET Data Sheet lOutline VDSS -45V TSMT3 (3) RDS(on) (Max.) 190mW (1) ID -2.0A PD 1.0W (2) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. (1) Gate (2) Source 3) Small Surface Mount Package (TSMT3). (3) Drain 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE lPackagi... See More ⇒

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History: APT6038SLLG

 

 
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