SIR470DP Todos los transistores

 

SIR470DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIR470DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 720 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0023 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SIR470DP PDF Specs

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SIR470DP

New Product SiR470DP Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFET RoHS 0.0023 at VGS = 10 V 60 COMPLIANT 40 45.5 nC 100 % Rg Tested 0.00265 at VGS = 4.5 V 60 100 % UIS Tested APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Secondary Side Synchronous Rectifi... See More ⇒

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SIR470DP

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SIR470DP

SiR472ADP www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) a, g Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested 0.0090 at VGS = 10 V 18 30 9 nC Optimized for high-side switching in 0.0115 at VGS = 4.5 V 18 synchronous buck converters PowerPAK SO-8 Single Material categorizat... See More ⇒

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SIR470DP

New Product SiR476DP Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFET RoHS 0.0017 at VGS = 10 V 60 COMPLIANT 25 42.5 nC 100 % Rg Tested 0.0021 at VGS = 4.5 V 60 100 % Avalanche Tested APPLICATIONS PowerPAK SO-8 VRM, POL, Server High C... See More ⇒

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