HSS2012 Todos los transistores

 

HSS2012 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSS2012
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

HSS2012 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:497K  huashuo
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HSS2012

HSS2012 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSS2012 is the high cell density trenched N-VDS 20 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),typ 10 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 6.8 A The HSS2012 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approve

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History: CS15N70F | IRFZ24L | 2SK957-01 | 2SK1601 | NTD3055-094-1G | SRC7N65DTR

 

 
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