HSS2012 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSS2012
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de HSS2012 MOSFET
HSS2012 Datasheet (PDF)
hss2012.pdf

HSS2012 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSS2012 is the high cell density trenched N-VDS 20 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),typ 10 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 6.8 A The HSS2012 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approve
Otros transistores... HSP6048 , HSP6115 , HSP8004 , HSP80P10 , HSP8N50 , HSS0008 , HSS0127 , HSS1N20 , IRFZ46N , HSS2300A , HSS2301B , HSS2301C , HSS2302A , HSS2302B , HSS2305A , HSS2306A , HSS2307 .
History: KF70N06F | GSM4516W | UPA2379T1P | SVDP2353PL3A | SMG2327P | BL13N25-U | STFI9N60M2
History: KF70N06F | GSM4516W | UPA2379T1P | SVDP2353PL3A | SMG2327P | BL13N25-U | STFI9N60M2



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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