HSS2012 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSS2012

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.25 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 20 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 12 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 6.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 1 V

Carga de compuerta (Qg): 13 nC

Tiempo de elevación (tr): 28 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 140 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.014 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT23

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HSS2012 Datasheet (PDF)

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HSS2012 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSS2012 is the high cell density trenched N-VDS 20 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),typ 10 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 6.8 A The HSS2012 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approve

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