HSS2012 Todos los transistores

 

HSS2012 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSS2012
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HSS2012 Datasheet (PDF)

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HSS2012

HSS2012 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSS2012 is the high cell density trenched N-VDS 20 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),typ 10 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 6.8 A The HSS2012 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approve

Otros transistores... HSP6048 , HSP6115 , HSP8004 , HSP80P10 , HSP8N50 , HSS0008 , HSS0127 , HSS1N20 , IRFZ46N , HSS2300A , HSS2301B , HSS2301C , HSS2302A , HSS2302B , HSS2305A , HSS2306A , HSS2307 .

History: FQI3P20TU | 2SK611

 

 
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