VBZM30N06 Todos los transistores

 

VBZM30N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBZM30N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 230 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 920 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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Principales características: VBZM30N06

 ..1. Size:1656K  cn vbsemi
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VBZM30N06

VBZM30N06 www.VBsemi.com N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition ID (A)a Surface Mount 0.024 at VGS = 10 V 50 Available in Tape and Reel 60 0.028 at VGS = 4.5 V 40 Dynamic dV/dt Rating Logic-Level Gate Drive Fast Switching Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

 9.1. Size:1869K  cn vbsemi
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VBZM30N06

VBZM3710 www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS VDS (V) 100 Available 175 C Junction Temperature RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.036 RoHS* Low Thermal Resistance Package a COMPLIANT ID (A) 55 ( Configuration Single D TO-220AB G S G D S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, u

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