STU04N20 Todos los transistores

 

STU04N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STU04N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 12 nC

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 21 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.8 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252, DPAK

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STU04N20 Datasheet (PDF)

1.1. stu04n20 std04n20.pdf Size:142K _samhop

STU04N20
STU04N20

STU04N20 Green Product STD04N20 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (Ω) Typ Rugged and reliable. 1.4 @ VGS=10V TO-252 and TO-251 Package. 200V 4A 1.6 @ VGS=4.5V G S STU SERIES STD SERIES ( ) TO - 252AA D- PAK ( ) TO

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