STU04N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STU04N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 4 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Carga de compuerta (Qg): 12 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 21 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.8 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO252, DPAK
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STU04N20 Datasheet (PDF)
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STU04N20 Green Product STD04N20 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (Ω) Typ Rugged and reliable. 1.4 @ VGS=10V TO-252 and TO-251 Package. 200V 4A 1.6 @ VGS=4.5V G S STU SERIES STD SERIES ( ) TO - 252AA D- PAK ( ) TO
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