STU04N20 Todos los transistores

 

STU04N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STU04N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
 

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STU04N20 datasheet

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STU04N20

STU04N20 Green Product STD04N20 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Typ Rugged and reliable. 1.4 @ VGS=10V TO-252 and TO-251 Package. 200V 4A 1.6 @ VGS=4.5V G S STU SERIES STD SERIES ( ) TO - 252AA D- PAK ( ) TO

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