FDD3672F085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDD3672F085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 144 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252 DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDD3672F085

FDD3672F085 Datasheet (PDF)

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March 2010FDD3672N-Channel UltraFET Trench MOSFET100V, 44A, 28mFeatures Applications rDS(ON) = 24m (Typ.), VGS = 10V, ID = 44A DC/DC converters and Off-Line UPS Qg(tot) = 24nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low Qrr Body Diode High Voltage Synchronous Rectif

7.2. Size:111K fairchild semi
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March 2011FDD3672_F085N-Channel UltraFET Trench MOSFET 100V, 44A, 28m ApplicationsFeatures DC/DC converters and Off-Line UPS Typ rDS(on) = 24m at VGS = 10V, ID = 44A Distributed Power Architectures and VRMs Typ Qg(10) = 24nC at VGS = 10V Primary Switch for 24V and 48V Systems Low Miller Charge Low Qrr Body Diode High Voltage Synchronous Rectifier Optimized efficie

7.3. Size:1737K onsemi
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FDD3672www.VBsemi.twN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.030 at VGS = 10 V40RoHS*100 Low Thermal Resistance Package0.035 at VGS = 4.5 V37COMPLIANTDTO-252GG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless

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Liste

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