SWF7N65DD Todos los transistores

 

SWF7N65DD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWF7N65DD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 22 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 103 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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Principales características: SWF7N65DD

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SWF7N65DD

SW7N65DD N-channel Enhanced mode TO-220F /TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-251N TO-220F TO-252 BVDSS 650V ID 7A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.1 )@VGS=10V RDS(ON) 1.1 Low Gate Charge (Typ 28nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 1 3 3 3 Application LED, Charge, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. So

 6.1. Size:1527K  samwin
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SWF7N65DD

SW7N65D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F/TO-220SF / TO-262N/DFN5*6 MOSFET Features TO-220 TO-251 TO-251N TO-252 BVDSS 650V High ruggedness ID 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1 ) @VGS=10V RDS(ON) 1.1 1 1 1 1 2 2 Low Gate Charge (Typ 30nC) 2 2 3 3 3 3 Improved dv/dt Capability D DFN5*6 TO-220F TO-220SF TO-262N 100% Avalan

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SWF7N65DD

SW7N65D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F/TO-220SF / TO-262N/DFN5*6 MOSFET Features TO-220 TO-251 TO-251N TO-252 BVDSS 650V High ruggedness ID 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1 ) @VGS=10V RDS(ON) 1.1 1 1 1 1 2 2 Low Gate Charge (Typ 30nC) 2 2 3 3 3 3 Improved dv/dt Capability D DFN5*6 TO-220F TO-220SF TO-262N 100% Avalan

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SWF7N65DD

SW7N65D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-251N/TO-251U/TO-252/TO- 220F/TO-220SF/TO-262N/DFN5*6/TO-220FT MOSFET Features TO-220 TO-251 TO-251N TO-251U TO-252 BVDSS 650V High ruggedness ID 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1 ) @VGS=10V RDS(ON) 1.1 1 1 1 1 1 2 2 Low Gate Charge (Typ 30nC) 2 2 2 3 3 3 3 3 Improved dv/dt Capability D TO-220FT TO-262N DFN

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