SWF8N65D Todos los transistores

 

SWF8N65D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWF8N65D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 116 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de SWF8N65D MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

Principales características: SWF8N65D

 ..1. Size:1171K  samwin
 swp8n65d swi8n65d swd8n65d swf8n65d swnx8n65d.pdf pdf_icon

SWF8N65D

SW8N65D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-252/TO-220F/TO-251NX MOSFET BVDSS 650V Features TO-220 TO-251 TO-252 TO-220F TO-251NX ID 8A High ruggedness RDS(ON) 1.1 Low RDS(ON) (Typ 1.1 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 32nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 2 2 2 3 3 3 3 Application Charg

 0.1. Size:1132K  samwin
 sw8n65db swi8n65db swd8n65db swf8n65db swj8n65db.pdf pdf_icon

SWF8N65D

SW8N65DB N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 /TO-220F/TO-262N MOSFET Features BVDSS 650V TO-251 TO-252 TO-220F TO-262N ID 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.0 )@VGS=10V RDS(ON) 1.0 Low Gate Charge (Typ 34nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 Application LED, Charge, PC Power 3 3 3 3 1

 0.2. Size:1066K  samwin
 swi8n65db swd8n65db swf8n65db swj8n65db.pdf pdf_icon

SWF8N65D

SW8N65DB N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 /TO-220F/TO-262N MOSFET Features BVDSS 650V TO-251 TO-252 TO-220F TO-262N ID 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.0 )@VGS=10V RDS(ON) 1.0 Low Gate Charge (Typ 34nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 Application LED, Charger, PC Power 3 3 3 3 1 1. Gate 2. Drain

 8.1. Size:804K  samwin
 swu8n60d swf8n60d.pdf pdf_icon

SWF8N65D

SW8N60D N-channel Enhanced mode TO-262/TO-220F MOSFET Features TO-262 BVDSS 600V TO-220F ID 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.92 )@VGS=10V RDS(ON) 0.92 Low Gate Charge (Typ 29nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 Application LED,Charger,PC Power 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Descr

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SWF7N60K , SWF7N65DD , SWF7N65K , SWF7N65K2 , SWF7N65M , SWF7N70K , SWF830D1 , SWF8N60D , 10N65 , SWF8N70K , SWF8N80K , SWF9N50D , SWH040R03VLT , SWH045R02VT , SWH065R03VLT , SWH110R03VT , SWH160R02VT .

History: AOTE32136C

 

 
Back to Top

 


 
.