HGI040N06SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGI040N06SL
Código: GI040N06SL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 70 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
Carga de la puerta (Qg): 49 nC
Tiempo de subida (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1200 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.004 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
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HGI040N06SL Datasheet (PDF)
hgd040n06sl hgi040n06sl.pdf
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HGD040N06SL HGI040N06SL P-1,60V N-Ch Power MOSFET60 VVDSFeature3.3RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level4RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability132 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness70 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplica
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