HGI040N06SL Todos los transistores

 

HGI040N06SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGI040N06SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
     - Selección de transistores por parámetros

 

HGI040N06SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:894K  cn hunteck
 hgd040n06sl hgi040n06sl.pdf pdf_icon

HGI040N06SL

HGD040N06SL HGI040N06SL P-1,60V N-Ch Power MOSFET60 VVDSFeature3.3RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level4RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability132 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness70 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplica

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HCD65R2K2 | MTN50N06E3 | SM3116NAF | GSM8459 | IPI051N15N5 | SSFT4004 | CPC3730

 

 
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