ZXMP3A13F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZXMP3A13F

Código: 313

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.806 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 1.6 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 206 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.33 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ZXMP3A13F

ZXMP3A13F Datasheet (PDF)

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ZXMP3A13F30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = -30V; RDS(ON) = 0.21 ID = -1.6ADESCRIPTIONThis new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure thatcombines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makesthem ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.SOT23FEATURES Low on-resistance

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Product specificationZXMP3A13F30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = -30V; RDS(ON) = 0.21 ID = -1.6ADESCRIPTIONThis new generation of trench MOSFETs from TY utilizes a unique structure thatcombines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makesthem ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.SOT23FEATURES

0.3. zxmp3a13fta.pdf Size:206K _zetex

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Liste

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