2N3399 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N3399
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.08 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.007 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 400 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO72
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N3399
2N3399 Datasheet (PDF)
2n3390 2n3391 2n3391a 2n3392 2n3393.pdf
Discrete POWER & SignalTechnologies2N33902N33912N3391A2N33922N3393B TO-92CENPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourcedfrom Process 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO
mps3393 2n3393 mps3394 2n3394 mps3395 2n3395 mps3396 2n3396 mps3397 2n3397 mps3398 2n3398 mps6565 mps6566 mps6575 mps6576.pdf
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050