2N3412 Todos los transistores

 

2N3412 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N3412
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.06 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO5
 

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2N3412 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:304K  fairchild semi
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2N3412

2N34162N3417B TO-92CENPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourcedfrom Process 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 50 VVCBO Collector-Base Voltage 50 V

 9.2. Size:33K  fairchild semi
 2n3415.pdf pdf_icon

2N3412

2N3415B TO-92CENPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourcedfrom Process 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsV Collector-Emitter Voltage 25 VCEOV Collector-Base Voltage 25 VCBOV

 9.3. Size:58K  central
 2n3414 2n3415 2n3416 2n3417 mps3414 mps3415 mps3416 mps3417.pdf pdf_icon

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145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.4. Size:48K  microelectronics
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History: HS649A | 2SC459

 

 
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