2SCR293P Todos los transistores

 

2SCR293P Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SCR293P
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 320 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 270
   Paquete / Cubierta: MPT3 SC-63 SOT-428
 

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2SCR293P datasheet

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2SCR293P

Midium Power Transistors (30V / 1A) 2SCR293P Structure Dimensions (Unit mm) NPN Silicon epitaxial planar transistor MPT3 (SC-63) Features Low saturation voltage VCE (sat) = 0.35V (Max.) (IC / IB= 500mA / 25mA) (1) (2) (3) (1) Base Applications (2) Collector Abbreviated symbol NV (3) Emitter Driver Packaging specifications Inner circuit (U

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2SCR293P

2SCR293P 2SCR293PFRA Datasheet NPN 1.0A 30V Middle Power Transistor AEC-Q101 Qualified lOutline MPT3 Parameter Value VCEO 30V Base Collector IC 1.0A Emitter 2SCR293PFRA 2SAR293P lFeatures (SC-62) 1) Suitable for Middle Power Driver 2) Complementary PNP Types 2SAR293P 2SAR293PFRA 3) Low VCE(sat) VCE(sat)=0.35V(Max.) (IC/IB=500mA/25mA) 4) Lead Free/RoHS

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2SCR293P

2SCR293P5 Datasheet Middle Power Transistors (30V / 1A) lOutline l SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO 30V IC 1A MPT3 lFeatures lInner circuit l l 1) Suitable for Middle Power Driver. 2) Complementary PNP Types 2SAR293P5. 3) Low VCE(sat) VCE(sat)=350mV(Max.). (IC/IB=500mA/25mA) lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER,

Otros transistores... 2SC5659 , 2SC5661 , 2SC5662 , 2SC5663 , 2SC5824 , 2SC5825 , 2SC5866 , 2SC5876 , MJE350 , 2SCR372P , 2SCR512P , 2SCR513P , 2SCR514P , 2SCR514R , 2SCR522EB , 2SCR522M , 2SCR522UB .

History: 2SC5824 | BC847BW-AU | T25 | 2SCR372P | 2SC5659

 

 

 


 
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